碳化硅（SiC）憑借其優異的物理特性，正推動光伏逆變器向更高效率、更高功率密度和更小的體積發展。其封裝技術作為核心環節，直接決定了逆變器的性能、可靠性和成本。

下面這個表格梳理了SiC功率模塊封裝技術的主要演進方向和特點，你可以快速了解。

SiC封裝關鍵技術流程

SiC模塊的封裝并非簡單地將芯片包裹起來，它是一套精密的系統工程，旨在充分發揮SiC材料的性能優勢同時確保其長期穩定運行。

1. 封裝結構設計與集成：這是決定模塊電氣性能和功率密度的基礎。傳統的TO-247封裝正被更集成的方案替代。例如，ROHM的"DOT-247"模塊將兩個TO-247相連，集成了半橋或共源等作為多電平電路最小結構單元的拓撲。另一種思路是像中恒微的"Light EU"封裝那樣，通過采用平面柵SiC MOSFET芯片與高密度插針工藝，在標準模塊尺寸內實現更低的導通電阻（如1200V/8.5mΩ）和提升功率密度。

2. 基板連接與熱管理：這是封裝的核心挑戰。由于SiC可在更高溫度下工作，傳統的焊料和連接方式可能成為瓶頸。為此，行業正積極引入Ag（銀）燒結技術。該技術通過在高溫下使銀顆粒燒結，與芯片和基板形成牢固且導熱的連接，大幅提升散熱能力和高溫可靠性。同時，在模塊內部集成Al?O?等高導熱襯底，并在外部優化風冷散熱器的設計，共同構建高效的熱管理系統。

3. 內部連接與材料工藝：芯片上方的電極通常使用Al線鍵合與絕緣基板金屬層實現電氣連接。為保障模塊在高溫、高頻下的長期可靠性，內部會填充耐高溫的灌封材料，并使用如Al?O3等材料用于表面鈍化。

?? 市場應用與前景

SiC器件在提升光伏逆變器性能方面效果顯著，已成為市場增長的重要驅動力。

• 市場持續增長：基于SiC的光伏逆變器市場正快速發展，2024年全球市場規模已達633.18億元人民幣，預計到2030年將增長至1041.22億元。整個基于SiC的電力電子和逆變器市場在2021-2028年期間的復合年增長率（CAGR）預計將達到36.4%。

• 提升系統效能：采用SiC模塊的光伏逆變器，其開關損耗可比傳統方案降低約35%，助力整機轉換效率突破99.2%。此外，SiC器件的高頻特性使得逆變器中的被動元件（如電感和濾波器）可以做得更小，從而顯著縮小系統體積，例如中恒微的Light EU封裝可使模塊體積縮減50%。

• 新興應用驅動：光伏逆變器本身正從主流的兩電平電路向三電平NPC、T-NPC以及五電平ANPC等多電平電路演進，這些拓撲對功率器件的靈活性和性能提出了更高要求，為集成化的SiC模塊創造了空間。此外，光儲一體化成為重要趨勢，SiC技術能同時提升光伏逆變和儲能變流的效率。預計到2030年，全球光儲領域對SiC襯底（6英寸當量）的年需求量將達94萬片。

?? 總結與展望

總體來看，SiC封裝技術通過持續的結構創新、散熱優化和材料升級，正在不斷提升光伏逆變器的功率密度、效率及可靠性。未來，隨著多電平電路和光儲應用等需求的增長，集成化、智能化的SiC模塊將成為關鍵支撐。

SiC器件清洗-合明科技錫膏助焊劑清洗劑介紹：

水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣，通電后發生電化學遷移，形成樹枝狀結構體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關注的呢？助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質在所有污染物中的占據主導，從產品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質量。

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半導體技術應用節點：FlipChip ;2D/2.5D/3D堆疊集成;COB綁定前清洗；晶圓級封裝；高密度SIP焊后清洗；功率電子清洗。